Renesas Electronics SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 144
Mult.: 72

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 144
Mult.: 72

4 Mbit 128 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 144
Mult.: 72

4 Mbit 128 k x 36 3.8 ns 150 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 144
Mult.: 72

4 Mbit 128 k x 36 8.5 ns 87 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 165 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 145 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 145 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel