IXYS Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. 
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode
07.08.2024
Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR
02.19.2024
Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.
IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule
IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule
01.18.2024
Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.
IXYS MPA 95-06DA FRED-Module
IXYS MPA 95-06DA FRED-Module
01.18.2024
Verfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-Gleichrichter
08.11.2022
Verfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.
IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
08.10.2022
Hohes statisches dv/dt mit geringer Abschaltzeit (tq) und 1,5 ARMS Einschaltstrom.
IXYS STS802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
IXYS STS802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRs
08.10.2022
Bieten einen hohen statischen dv/dt mit einer niedrigen Ausschaltzeit (tq) und einem Ableitvermögen von bis zu 20 A.
IXYS MDNA700P2200CC Hochspannungs-Gleichrichtermodul
IXYS MDNA700P2200CC Hochspannungs-Gleichrichtermodul
08.01.2022
Verbesserte Temperatur- und Leistungszyklen, ComPack-Gehäuse mit DCB-Keramik, Industriestandard-Abmessungen.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
07.03.2025
ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
07.03.2025
Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
07.02.2025
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
07.01.2025
Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
06.30.2025
Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06.30.2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
06.27.2025
Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch  TLP-Klemmspannung zu minimieren.
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
06.27.2025
Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
06.23.2025
Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.
Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
06.23.2025
Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
06.18.2025
Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
Verfügen über niedrige  RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
06.04.2025
22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.
06.03.2025
1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).
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