Bourns Neueste Halbleiter
Angewendete Filter:
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
07.03.2025
07.03.2025
Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
Bourns PTVS3-066C-TH Hochstrom-Leistungs-TVS-Diode
04.30.2025
04.30.2025
3 kA, 8/20µs überspannungsfähige Diode, die für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen ausgelegt ist.
Bourns PTVS1-240C-M Hochstrom-TVS-Diode
08.30.2024
08.30.2024
Eine bidirektionale Diode, die für Hochleistungs-DC-Bus-Schutz- und Klemmapplikationen ausgelegt ist.
Bourns POE-LAB1 Design-Kit
07.04.2024
07.04.2024
Für Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen (bis zu 10 GbE) mit PoE + + (Typ 4) Funktionen ausgelegt.
Bourns Elektrifizierungslösungen
12.20.2023
12.20.2023
Transformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.
Bourns GDT28H Design-Kit
11.02.2023
11.02.2023
Enthält fünf Teile von jedem GDT28H-Modell, um Benutzern Schutzlösungen zu bieten.
Bourns BSD Siliziumkarbid-Schottky-Barriere-Dioden
06.26.2023
06.26.2023
Erhöht die Zuverlässigkeit, Schaltleistung und den Wirkungsgrad in DC/DC- und AC/DC-Wandlern.
Bourns PTVS20-015C-H Hochstrom-TVS-Diode
12.27.2022
12.27.2022
Bietet 20 kA, 8/20µs Ableitvermögen gemäß IEC 61000-4-5 und eine periodische Sperrspannung von 1 V.
Bourns PTVS20-015C-TH Hochstrom-PTVS-Diode
10.04.2022
10.04.2022
Für Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen, Durchsteckmontage und Ableitvermögen von 20 kA, 8/20 µs.
Bourns PTVS1-0xC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden
08.05.2022
08.05.2022
Bieten ESD-Schutz gegen Hochstromstöße in PoE-Bauteilen und Hochleistungs-DC-Bus-Applikationen.
Bourns Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode des Modells BID
08.05.2022
08.05.2022
IGBTs mit niedrigeren Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und geringeren Schaltverlusten.
Bourns CD0201-T2.0LC TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität
05.24.2022
05.24.2022
Zum Schutz von Ultra-Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen ausgelegt und verfügt über eine Nennkapazität von nur 0,18 pF.
Bourns Magnetische Produkte
04.21.2022
04.21.2022
Zur Erfüllung der grundlegenden Leistungsapplikationsanforderungen für EMV-Konformität und vieles mehr ausgelegt.
Bourns Bauteile für Schaltkreisschutz
04.05.2022
04.05.2022
Dazu gehören rücksetzbare Sicherungen, Thermistoren, Varistoren, Gasentladungsröhren (GDTs) und mehr.
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Infineon Technologies SLS32AIA010Mx OPTIGA™ Trust M
03.23.2026
03.23.2026
Eine High-End-Sicherheitslösung, die einen Sicherheitsanker für die Verbindung von IoT-Geräten mit der Cloud bietet.
Espressif Systems ESP32-C5-DevKitC-1 Development Kit
01.29.2026
01.29.2026
Designed to showcase the capabilities of the ESP32-C5 System-on-Chip (SoC).
Espressif Systems ESP32 Dual-Core-WLAN-Bluetooth-SoC mit Dual-Modus
01.29.2026
01.29.2026
Hochintegrierter WLAN-/Bluetooth-/BLE-Kombi-Chip ideal für mobile, tragbare IoT-Applikationen.
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Torex Semiconductor XC9704/XC9705 DC/DC Converters
07.11.2025
07.11.2025
Consist of a built-in high-side driver FET and a low-side driver FET.
Texas Instruments LMH13000 Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber
07.11.2025
07.11.2025
LiDAR-Lasertreiber, der schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten (<1 ns) für Applikationen mit gepulster Stromausgabe unterstützt.
Microchip Technology MCP16367 DC/DC-Wandler
07.08.2025
07.08.2025
Versorgen mit 400 mA Dauerstrom und regulieren dabei den Ausgangsspannungsbereich von 2 V bis 24 V.
Microchip Technology EV23P28A Evaluierungsboard
07.08.2025
07.08.2025
Das Board ist zur Vereinfachung der Evaluierung und des Testens der Fähigkeiten des IC MCP16701 ausgelegt.
Microchip Technology EV13B92A Evaluierungskit
07.08.2025
07.08.2025
Evaluiert maXTouch™ -Applikationen unter Verwendung der Automotive-qualifizierten mXT3072M1 Touchscreen-Controller.
Microchip Technology KSZ8895 EDS2 Tochterkarte
07.08.2025
07.08.2025
Für die Evaluierung des KSZ8895 Gigabit-Ethernet-RGMII-Schalters ausgelegt.
Bosch BMI330 Shuttle-Board 3.0
07.08.2025
07.08.2025
Vielseitiges Evaluierungstool zur Vereinfachung der Entwicklung und des Testens der BMI330 IMU.
Microchip Technology KSZ8795 EDS2 Tochterkarte
07.08.2025
07.08.2025
Für die Evaluierung des KSZ8795CLX 10/100-MBit Ethernet-Schalters konzipiert.
Microchip Technology MIC4607A MOSFET-Treiber-Evaluierungsboard
07.08.2025
07.08.2025
Demonstriert die vom MIC4607A MOSFET-Treiber angebotenen Treiberfähigkeiten.
Bosch BMI330 Erweiterte Temperatur-IMU
07.08.2025
07.08.2025
Integriert ein 3-Achsen-Gyroskop sowie einen 3-Achsen-Beschleunigungsmesser und liefert präzise Bewegungserfassung.
Microchip Technology MCP16367 Evaluierungsboard
07.08.2025
07.08.2025
Für die Evaluierung und Demonstration der MCP16367 DC/DC-Abwärtswandler ausgelegt.
onsemi AF013x Hyperlux™ ID 1,2MP iToF-Sensoren
07.07.2025
07.07.2025
Matrixsensoren für die 3D-Bildgebung von sich schnell bewegenden Objekten.
Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
07.03.2025
07.03.2025
Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
07.03.2025
07.03.2025
ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Espressif Systems ESP32-C61 Wi-Fi® 6 + BLUETOOTH® 5 (LE) SoCs
07.03.2025
07.03.2025
Features optimized peripherals, improved connectivity, and increased memory options.
Ezurio Sona™ NX611 Development Kit
07.03.2025
07.03.2025
Designed for the evaluation of Sona™ NX611 wireless modules with integrated antenna.
Nexperia 74LVC157A/74LVC157A-Q100 Quad-Multiplexer mit 2 Eingängen
07.03.2025
07.03.2025
Multiplexer eignen sich hervorragend als Umsetzer in gemischten Applikationen mit 3,3 V und 5 V.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
07.02.2025
07.02.2025
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
Nexperia 74LVC08A Quad mit 2 Eingängen UND Gate
07.02.2025
07.02.2025
Ermöglicht die Verwendung dieser Bauteile als Umsetzer in gemischten 3,3 V und 5 V Applikationen.
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