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Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.

06.03.2025

- 1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Vishay Glaspassivierte Einphasen-Brückengleichrichter

04.17.2025

- Ideal für AC/DC-Brücken-Vollwellen-Gleichrichtung für Monitore, Drucker und Adapterapplikationen.

Vishay PAR® Überspannungsschutzvorrichtungen zur Oberflächenmontage

04.17.2025

- Ideal für den Einsatz beim Schutz empfindlicher Elektronik gegen Spannungstransienten, die durch Blitzschlag hervorgerufen werden.

Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers

04.03.2025

- Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.

Vishay VS-EBU15006HN4 Ultraschnelle Sanft-Freilaufdiode

03.25.2025

- 150-A-Diode, die zur Reduzierung von Verlusten und EMI/RFI in Hochfrequenz-Leistungsregelungssystemen optimiert ist.

Vishay VGSOT ESD-Schutzdioden

03.14.2025

- Bieten einen niedrigen thermischen Widerstand sowie erweiterte Strom- und Leistungswerte in einem SOT-23-Gehäuse.

Vishay VS-SCx0BA120 SiC-Einphasen-Brückendioden

11.12.2024

- Robuste Hochleistungs-Komponenten für eine Leistungsumwandlung mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen.

Vishay SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

11.11.2024

- TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

Vishay SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

10.25.2024

- Erhältlich in einem PowerPAK®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm BWL mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω.

Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

08.26.2024

- Bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximalen Leistungsverlust.

Vishay SE100PWTLK Oberflächenmontierbarer Standardgleichrichter mit niedrigem VF

08.20.2024

- Verfügt über eine Kriech- und Luftstrecke von 2,8 mm, ein sehr niedriges Profil und eine typische Höhe von 1,3 mm.

Vishay T15Bx PAR® ESD-Schutzdioden

08.20.2024

- Verfügen über ein optimiertes Design mit Sperrschicht-Passivierung unter Verwendung der passivierten Anisotropen Gleichrichter-Technologie.

Vishay SS20KH170 Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Dichte und einer extrem niedrigen Durchlassspannung von 0,6 V bei IF = 5 A.

Vishay GBUE2580 Einphasen-Brückengleichrichter

08.20.2024

- Bietet eine einreihige Schaltungsanordnung mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall in einem GBU-Gehäuse.

Vishay SS30KH170/SS30KH170S Schottky-Barrieregleichrichter

08.20.2024

- Oberflächenmontierbare Gleichrichter mit hoher Stromdichte und einem extrem niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.

Vishay MRSE1PK Schnellschaltender Gleichrichter zur Oberflächenmontage

08.08.2024

- Ein 1 A, 800 V, schneller Mikro-Gleichrichter zur Oberflächenmontage, der sich ideal für die automatische Bestückung eignet.

Vishay SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

07.01.2024

- Verfügt über die TrenchFET® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.

Vishay TransZorb® Überspannungsschutzvorrichtungen

06.04.2024

- Verfügt über eine hervorragende Klemmfähigkeit eine sehr schnelle Anschwingzeit und einen geringen inkrementellen Spannungsstoß.

Vishay VS-SC SOT-227 SiC-Schottky-Barriere-Dioden

05.17.2024

- Breitbandlücken-Schottky-Dioden von 650 V / 1.200 V, die für eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit ausgelegt sind.

Vishay Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

05.17.2024

- Verfügt über Leistungstechnologie, optimiert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung während der Leitung.

Vishay Gleichrichter im DFN33A-Gehäuse

04.15.2024

- Verfügt über kleine Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm mit einer typischen Höhe von 0,88 mm.

Vishay SE30124 Surface-Mount High Voltage Rectifiers

04.04.2024

- Feature high ESD capability, high avalanche capability, and excellent heat dissipation.

Vishay SE60N3x Surface-Mount Standard Rectifiers

04.04.2024

- AEC-Q101 qualified, ideal for automated replacement, and offers ESD capability.

Vishay SE40N3x Surface-Mount Standard Rectifiers

04.04.2024

- AEC-Q101 qualified, ideal for automated replacement, and offer ESD capability

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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

07.01.2025

- Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)

06.23.2025

- Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

06.03.2025

- Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.

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