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Diotec Semiconductor Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

03.05.2025

- Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.

Diotec Semiconductor SI20C065x SiC Schottky Diodes

10.04.2024

- High-speed, high-voltage rectification diodes ideal for commercial/industrial-grade applications.

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

07.26.2024

- Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.

Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT Transistors

04.24.2024

- Include a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.

Diotec Semiconductor ZPx Zener Diodes

03.17.2023

- Feature sharp Zener voltage breakdown, low leakage current, and high power dissipation.

Diotec Semiconductor TPSMA6L TVS Diodes

03.17.2023

- Feature low profile package and 600W peak pulse power (10µs/1000µs waveform) dissipation.

Diotec Semiconductor P4SMA Transient Voltage Suppressors

03.17.2023

- Feature uni- and bi-directional versions, 400W of peak pulse power, and fast response time.

Diotec Semiconductor Sx Rectifier Diodes

03.16.2023

- Feature a high current rating and are compliant with RoHS, REACH, and conflict minerals.

Diotec Semiconductor BZT5 Zener Diodes

03.16.2023

- Feature ±2% tolerance of Zener voltage, sharp Zener voltage breakdown, and low leakage current.

Diotec Semiconductor BAS Power/Switching Small Signal Diodes

03.16.2023

- -55°C to +150°C storage temperature range, and is REACH, RoHS, and conflict minerals compliant.

Diotec Semiconductor BYG10M Rectifiers

03.16.2023

- Offer a 1.5A/1000V forward current and 27/30A of surge current rating.

Diotec Semiconductor P6SMA/B Transient Voltage Suppressors

03.16.2023

- Feature uni-and bi-directional versions, 500W/600W peak pulse power, and fast response time.

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

02.24.2023

- Offers fast switching times and a 20V maximum drain-source voltage in a SOT-26 (SOT-457) package.

Diotec Semiconductor SK40xCD2-3G SMD Schottky Barrier Rectifier Diodes

02.24.2023

- Third-generation diodes with lower reverse leakage and forward voltage than the SK4045CD2.

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

02.24.2023

- Offers fast switching times and a 4.2A maximum drain current in a SOT-23/TO-236 package.

Diotec Semiconductor MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET

02.24.2023

- Offers fast switching times, high drain current (4A maximum), and low on-state resistance.

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

02.23.2023

- Delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times.

Diotec Semiconductor DI020N06D1 N-Channel Power MOSFETs

02.23.2023

- Offers low on-state resistance, low gate charge, and fast switching times with an Avalanche rating.

Diotec Semiconductor Advanced Trench Technology Power MOSFETs

02.17.2023

- Offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations.

Diotec Semiconductor PT3000T Standard Recovery Rectifier Diode

11.07.2022

- Features high power dissipation, VRRM up to 1000V, and includes UL 94V-0 case material.

Diotec Semiconductor ESW6004/ESW6006 Superfast Rectifier Diodes

11.07.2022

- Features soft reverse recovery and a very low recovery time in a TO-247 package.

Diotec Semiconductor SICW20C120 Silicon Carbide Schottky Diodes

11.07.2022

- Features low capacitive charge, high-speed switching, and a high reverse voltage.

Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs

10.19.2022

- Features low ON-state resistance, fast switching times, and extremely low thermal resistance.

Diotec Semiconductor SK36SMA Schottky Diode

08.02.2022

- Features low forward voltage drop and high average forward current.

Diotec Semiconductor SB550 Schottky Diode

08.02.2022

- Features low forward voltage drop and high average forward current.

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Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

07.01.2025

- Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)

06.23.2025

- Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

06.03.2025

- Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.

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