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Littelfuse Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-Dioden

05.21.2025

- Speziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.

Littelfuse Px0S3H SIDACtor-Thyristor mit hohem Stromstoß

05.02.2025

- Entwickelt für einen zuverlässigen Überspannungsschutz in Umgebungen mit hoher Belastung.

Littelfuse LX5 Empfindlicher Gate-TRIAC mit 0,5 A

04.25.2025

- Eine Baureihe bidirektionaler Halbleiterschalter, die eine direkte Schnittstelle zu Mikroprozessortreibern bietet.

Littelfuse Sxx30x SCR-Thyristoren

04.09.2025

- Für Applikationen wie z. B. Halbleiterrelais, Industrie-Elektrowerkzeuge und Hochleistungs-Motorsteuerungen ausgelegt.

Littelfuse Pxx00S3G-A SIDACtor® Schutzthyristoren

01.28.2025

- Entwickelt, um AC Stromleitungen in feindlichen Umgebungen vor Überspannungstransienten zu schützen.

Littelfuse SMF TVS-Dioden mit extrem niedriger Spannung

01.20.2025

- Entwickelt zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor durch Blitzschlag verursachten Spannungstransienten.

Littelfuse xEV-Antriebsstranglösungen

01.07.2025

- Großes Portfolio von xEV-Antriebsstranglösungen, die sich für Automotive-Umgebungen eignen.

Littelfuse TPSMB Asymmetrische TVS-Dioden

12.06.2024

- Zum Schutz von empfindlichen elektronischen Geräten gegen Spannungstransienten durch Blitzschlag ausgelegt.

Littelfuse TPSMB-L Fahrzeug TVS-Dioden

12.02.2024

- Merkmal 600 W Spitzenimpuls-Verlustleistungsfähigkeit 10/1000μs Wellenform.

Littelfuse AQ1205-01LTG Bidirektionale TVS-Diode

11.28.2024

- Mit der proprietären Silizium-Avalanche-Technologie ausgelegt und bietet einen hohen ESD-Schutz.

Littelfuse LSIC2SD065D40CC SiC-Schottky-Barriere-Dioden

11.18.2024

- Extrem kurze Schaltzeit und temperaturunabhängiges Schaltverhalten.

Littelfuse AQx-01FLTG SPA® TVS-Diodenarrays

09.30.2024

- Die proprietäre Silizium-Avalanche-Technologie schützt elektronische Geräte gegen elektrostatische Entladung.

Littelfuse SM8S TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

08.26.2024

- Das SMTO-263-Gehäuse mit Leitungsänderungen und einem niedrigen Profil reduziert den PCB-Footprint.

Littelfuse AQ24ETH-02HTG Bidirektionale TVS-Diode

07.31.2024

- Erfüllt die OPEN Alliance 100/1000 BASE-T1 Ethernet und andere Hochgeschwindigkeits-Datennetzwerk-Applikationen.

Littelfuse Asymmetrische SMFA-TVS-Dioden

07.18.2024

- Wird in einem SOD-123FL Gehäuse geliefert und ist für den GATE- Schutz von SIC- MOSFETs bei asymmetrischen Spannungen ausgelegt.

Littelfuse AQ27COM-02HTG TVS-Diodenarray

07.15.2024

- Verfügt über ein bidirektionales TVS-Array, das die proprietäre Silizium-Avalanche-Technologie verwendet.

Littelfuse SC2200-01UTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode

06.25.2024

- Entwickelt zum Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) und blitzinduzierten Überspannunge .

Littelfuse SMCLCE-HR/HRA Oberflächenmontierbare TVS-Dioden

05.07.2024

- Schützen empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten, die durch Blitzschlag hervorgerufen werden.

Littelfuse AQ27COM-01 Bidirektionale TVS-Diode

04.30.2024

- Verfügen über eine maximale Rückwärts-Sperrspannung von 27 V, eine Spitzenimpulsleistung von 200 W und einen Spitzenstrom von 4 A.

Littelfuse AQ1205-01UTG Bidirektionale diskrete TVS-Diode

04.30.2024

- Bietet einen hohen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) für elektronische Geräte.

Littelfuse AQW05/SDW05-01FTG Unidirektionale TVS-Dioden

02.19.2024

- Bieten 30 A Spitzenstrom und können repetitive ESD-Schläge von ±30 kV sicher absorbieren.

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Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

07.01.2025

- Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)

06.23.2025

- Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

06.03.2025

- Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.

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