Nexperia Neueste Diskrete Halbleiter

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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
05.07.2025
2-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1002-1 SMB-Gehäuse eingekapselt.
Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
05.07.2025
200 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.
Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery
05.07.2025
200 V 1-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1001-1 SMA-Gehäuse eingekapselt.
Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery
Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery
05.02.2025
100 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter
Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter
05.02.2025
600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia GS8M Wiederherstellungsgleichrichter
Nexperia GS8M Wiederherstellungsgleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 8 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.
Nexperia US1J Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
Nexperia US1J Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia MURS160B Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
Nexperia MURS160B Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.
Nexperia MURS160A Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
Nexperia MURS160A Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia FR2M Gleichrichter mit schneller Recovery
Nexperia FR2M Gleichrichter mit schneller Recovery
04.28.2025
1.000 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.
Nexperia US1M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
Nexperia US1M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia US3M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
Nexperia US3M Ultraschneller Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.
Nexperia GS1M Wiederherstellungsgleichrichter
Nexperia GS1M Wiederherstellungsgleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia GS5MB Wiederherstellungsgleichrichter
Nexperia GS5MB Wiederherstellungsgleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 5 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.
Nexperia FR2JA Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung
Nexperia FR2JA Gleichrichter mit schneller Wiederherstellung
04.28.2025
600 V, 2 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.
Nexperia GS10M Recovery-Gleichrichter
Nexperia GS10M Recovery-Gleichrichter
04.28.2025
1.000 V, 10 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.
Nexperia PESD1ETH10L ESD-Schutz für bordeigene Netzwerke
Nexperia PESD1ETH10L ESD-Schutz für bordeigene Netzwerke
04.14.2025
Vollständig konform mit den Standards der OPEN Alliance IEEE 10BASE-T1s 100BASE-T1 und 1000BASE-T1.
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
04.14.2025
40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.
Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs
Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs
04.14.2025
60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.
Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs
Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs
01.21.2025
Kombiniert bewährte MOSFET-Expertise mit breitem Anwendungswissen und schafft so ein wachsendes Angebot.
Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start
Nexperia CCPAK-ASFETs für Hotswap & Soft-Start
01.08.2025
Bietet einen zuverlässigen linearen Modus, verbessertes SOA und einen niedrigen RDS(on) in einem einzigen Bauteil.
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
12.30.2024
AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.
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    Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
    Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
    09.09.2025
    Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
    07.03.2025
    Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
    Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
    Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden
    07.03.2025
    Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz
    07.03.2025
    ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.
    Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
    Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
    07.03.2025
    40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
    ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
    ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
    07.02.2025
    Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
    ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
    ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
    07.01.2025
    Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
    07.01.2025
    Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
    ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
    ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
    06.30.2025
    Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
    ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
    ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
    06.30.2025
    Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    06.30.2025
    Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode
    06.27.2025
    Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode
    06.27.2025
    Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch  TLP-Klemmspannung zu minimieren.
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
    06.23.2025
    Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
    onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
    onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)
    06.23.2025
    Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.
    Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
    Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
    06.23.2025
    Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
    Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
    Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden
    06.23.2025
    Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.
    ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
    ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
    06.18.2025
    Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.
    ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
    ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
    06.16.2025
    Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
    onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
    onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
    06.09.2025
    Verfügen über niedrige  RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06.09.2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode
    06.04.2025
    22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode
    06.04.2025
    22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.
    ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
    06.04.2025
    Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    06.03.2025
    Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
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