.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Texas Instruments Neueste Diskrete Halbleiter

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von diskreten Halbleitern

Liste Bilder

Angewendete Filter:

Hersteller = Texas Instruments Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD-Schutzdiode

03.18.2025

- Ein unidirektionaler oder bidirektionaler Zweikanal-ESD in einer gemeinsamen Kathodenkonfiguration.

Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1 ESD-Diode mit niedriger Kapazität

03.18.2025

- Wird in einem 0402-Industriestandard-Gehäuse angeboten und bietet eine IEC 61000-4-2 Schutzstufe von 15 kV.

Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1 Zener-Spannungsregelerdioden

03.11.2025

- Diese Geräte bieten eine Gesamtverlustleistung von 250 mW (max.) und eine Toleranz von ± 5 %.

Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD-Schutzdiode

01.29.2025

- Wird in einem Industriestandard-0402-Gehäuse angeboten und bietet eine IEC 61000-4-2 Schutzstufe von 15 kV.

Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD-Schutzdioden

01.29.2025

- Erhältlich im 0402-Industriestandard-Gehäuse mit der IEC 61000-4-2 Schutzstufe von 15 kV.

Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1 bidirektionale TVS-Dioden

12.23.2024

- Diese Bauteile sind zum Klemmen schädlicher Transienten wie ESD und Überspannungen ausgelegt.

Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD-Schutzdioden

11.05.2024

- Erhältlich in einem 0402-Industriestandard-Gehäuse und bietet eine IEC 61000-4-2 Schutzstufe von 15 kV.

Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD-Schutzdiode

11.05.2024

- Dieses Bauteil ist zum Klemmen schädlicher Transienten wie ESD und Überspannungen ausgelegt.

Texas Instruments TSM36CA 36 V Bidirektionale TVS-Schutzdiode

09.17.2024

- Das Bauteil ist so konzipiert, dass es schädliche Transienten wie ESD und Überspannungen abfängt.

Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1 Bi-direktionale ESD & TVS-Dioden

06.17.2024

- Ausgelegt für die Ableitung von ESD-Impulsen über das in der Norm IEC 61000-4-2 angegebene maximale Niveau hinaus.

Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD-Schutzdioden

05.07.2024

- Bidirektionale Zweikanal-Dioden in einem kleinen bedrahteten SOT-23-Gehäuse (DBZ).

Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD-Schutzdioden

05.06.2024

- Zweikanalige bidirektionale ESD-Schutzdioden für die Automobilindustrie zum Schutz der Controller Area Network (CAN)-Schnittstelle.

Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD-Schutzdiode

04.23.2024

- So ausgelegt, dass sie ESD-Entladungen über dem in der internationalen Norm IEC 61000-4-2 festgelegten Höchstwert hinaus ableiten kann.

Texas Instruments ESDS552 Bi-direktionale ESD/Überspannungsschutzdiode

04.23.2024

- Ausgelegt für die Ableitung von ESD-Entladungen über den im IEC 61000-4-2-Standard festgelegten Höchstwert hinaus.

Texas Instruments TSM24B Unidirektionale Überspannungsschutzdiode

12.19.2023

- Dieses Bauelement leitet zuverlässig bis zu 20 A des IEC 61000-4-5 Fehlerstroms ab.

Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q1 Unidirektionale 24-V-TVS-Diode

11.13.2023

- Bis zu 60 A Fehlerstrom von IEC 61000-4-5 zum Schutz vor hohen transienten Stromstößen oder Blitzeinschlägen.

Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q1 Bidirektionale 24-V-TVS-Diode

11.13.2023

- Bis zu 30 A Fehlerstrom von IEC 61000-4-5 zum Schutz vor Blitzeinschlägen oder Hochleistungstransienten.

Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C Überspannungsschutzgeräte

09.19.2023

- Diese Geräte wurden entwickelt, um schädliche Transienten wie ESD und Überspannungen abzufangen.

Texas Instruments ESD451 ESD-Schutzdiode mit ±30 kV

08.10.2023

- Eine bidirektionale ESD-Schutzdiode zum Schutz von Datenleitungen und anderen I/O-Anschlüssen.

Texas Instruments ESD441 ESD-Schutzvorrichtung mit ±30 kV

08.10.2023

- Eine unidirektionale ESD-Schutzdiode zum Schutz von Datenleitungen und anderen I/O-Anschlüssen.

Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD-Schutzdiode

02.09.2023

- Bidirektionales Einkanal-ESD-Schutz Gerät mit niedriger Kapazität für local Interconnect network (LIN).

Texas Instruments ULN2803C 50-V-Achtkanal-Darlington-Array mit 500 mA

02.06.2023

- Verfügt über Hochspannungsausgänge mit Klemmdioden mit gemeinsamer Kathode für induktive Schaltlasten.

Texas Instruments ESD751/Q1 und ESD761/Q1 ESD-Schutzdioden

02.02.2023

- Einkanalige bidirektionale ESD-Schutzvorrichtungen mit niedriger Kapazität für USB-Power Delivery (USB-PD).

Texas Instruments TSM36A TVS-Überspannungsschutzdiode

01.05.2023

- Leitet zuverlässig Ströme von bis zu 41 A des IEC 61000-4-5 Fehlerstroms zum Schutz von Systemen ab.

Texas Instruments ESD2CANxx24/ESD2CANxx24-Q1 ESD-Schutzdioden

12.23.2022

- Dioden sind bidirektional und für den Schutz von CAN-Schnittstellen (Controller Area Network, CAN) ausgelegt.

Ansicht: 1 - 25 von 27

Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

07.01.2025

- Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)

06.23.2025

- Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

Ansicht: 1 - 25 von 988

Texas Instruments Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support