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Bourns Neueste Dioden u. Gleichrichter

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Arten von Dioden u. Gleichrichtern

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Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Bourns PTVS3-066C-TH Hochstrom-Leistungs-TVS-Diode

04.30.2025

- 3 kA, 8/20µs überspannungsfähige Diode, die für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen ausgelegt ist.

Bourns PTVS1-240C-M Hochstrom-TVS-Diode

08.30.2024

- Eine bidirektionale Diode, die für Hochleistungs-DC-Bus-Schutz- und Klemmapplikationen ausgelegt ist.

Bourns Elektrifizierungslösungen

12.20.2023

- Transformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.

Bourns BSD Siliziumkarbid-Schottky-Barriere-Dioden

06.26.2023

- Erhöht die Zuverlässigkeit, Schaltleistung und den Wirkungsgrad in DC/DC- und AC/DC-Wandlern.

Bourns PTVS20-015C-H Hochstrom-TVS-Diode

12.27.2022

- Bietet 20 kA, 8/20µs Ableitvermögen gemäß IEC 61000-4-5 und eine periodische Sperrspannung von 1 V.

Bourns PTVS20-015C-TH Hochstrom-PTVS-Diode

10.04.2022

- Für Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen, Durchsteckmontage und Ableitvermögen von 20 kA, 8/20 µs.

Bourns PTVS1-0xC-H Hochstrom-TVS-Leistungsdioden

08.05.2022

- Bieten ESD-Schutz gegen Hochstromstöße in PoE-Bauteilen und Hochleistungs-DC-Bus-Applikationen.

Bourns CD0201-T2.0LC TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität

05.24.2022

- Zum Schutz von Ultra-Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen ausgelegt und verfügt über eine Nennkapazität von nur 0,18 pF.

Bourns Bauteile für Schaltkreisschutz

04.05.2022

- Dazu gehören rücksetzbare Sicherungen, Thermistoren, Varistoren, Gasentladungsröhren (GDTs) und mehr.

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Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 FRED Pt® Gleichrichter der 7. Gen.

06.03.2025

- 1200 V, 1 A oder 2 A Hyperschnelle Gleichrichter in einem SlimSMA-HV-Gehäuse (DO-221AC).

Littelfuse 5.0SMDJ-FB TVS-Dioden

05.21.2025

- Speziell zum Schutz empfindlicher elektronischer Geräte vor Spannungsspitzen entwickelt.

Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier

05.20.2025

- Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.

Nexperia ES1D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 200 V 1-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1001-1 SMA-Gehäuse eingekapselt.

Nexperia ES3D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 200 V, 3 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

Nexperia ES2D-Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.07.2025

- 2-A-Gleichrichter von 200 V mit hohem Durchlassableitvermögen, in einem SOD1002-1 SMB-Gehäuse eingekapselt.

APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

05.06.2025

- Delivers superior power handling, high-frequency/-temp operation, and reduced capacitive charge.

Nexperia ES1B Gleichrichter mit superschneller Recovery

05.02.2025

- 100 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia ES1J Hyperschnelle Recovery-Gleichrichter

05.02.2025

- 600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Bourns PTVS3-066C-TH Hochstrom-Leistungs-TVS-Diode

04.30.2025

- 3 kA, 8/20µs überspannungsfähige Diode, die für den Einsatz in Hochleistungs-DC-Bus-Klemmapplikationen ausgelegt ist.

Nexperia MURS160B Ultraschneller Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlass-Ableitvermögen, untergebracht in einem SOD1002-1-SMB-Gehäuse.

Nexperia MURS160A Ultraschneller Recovery-Gleichrichter

04.28.2025

- 600 V, 1 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1001-1-SMA-Gehäuse.

Nexperia GS8M Wiederherstellungsgleichrichter

04.28.2025

- 1.000 V, 8 A Gleichrichter mit hohem Durchlassableitvermögen, eingekapselt in einem SOD1003-1 SMC-Gehäuse.

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