IXYS Neueste Transistoren
Angewendete Filter:
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
06.09.2025
Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
05.23.2025
05.23.2025
Das Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05.22.2025
05.22.2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
05.22.2025
05.22.2025
Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05.15.2025
05.15.2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05.15.2025
05.15.2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
05.14.2025
05.14.2025
Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
05.13.2025
05.13.2025
Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
05.02.2025
05.02.2025
Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
04.30.2025
04.30.2025
Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs
04.28.2025
04.28.2025
Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.
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