SiT8008B Serie Oszillatoren von MEMS

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Menge RoHS Verpackung/Gehäuse
Frequenz
Frequenzstabilität
Ladekapazität
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
SiTime MEMS Oscillators 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
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: 250

5 mm x 3.2 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

40 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 250

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 12MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 20MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

20 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 32MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

32 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 5032, 50ppm, 2.25V-3.63V, 50MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 12.288MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12.288 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 80MHz, ST, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

80 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 80MHz, ST, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

80 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 20ppm, 2.25V-3.63V, 100MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

100 MHz 20 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 1.8V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

20 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 1.8V, 25MHz, NC, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.8V, 16MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 mm x 1.6 mm 16 MHz 25 PPM 15 pF 2.52 V 3.08 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 29.5MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

29.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 29.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

29.5 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 33MHz, NC, 250 pcs T&R 8 mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

33 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 25ppm, 2.25V-3.63V, 29.5MHz, OE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

29.5 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B