289 Oszillatoren von MEMS

Ergebnisse: 208
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
ABRACON MEMS Oscillators MEMS OSC XO 11.2896MHZ CMOS SMD Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 100

0605 (1612 metric) 11.2896 MHz 50 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C AMPM
ABRACON MEMS Oscillators MEMS OSC XO 11.2896MHZ CMOS SMD Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 100

1008 (2520 metric) 11.2896 MHz 25 PPM 1.71 V 3.63 V CMOS 1.3 mA - 20 C + 70 C AMPM
Microchip Technology DSA6151JL1B-011.2896VAO
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Osc., Automotive, Low Power, -40-105C, 50ppm, 2.5x2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1 120
Mult.: 1 120

VLGA-4 11.2896 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V 3 mA - 40 C + 105 C
Microchip Technology DSA6151JL1B-011.2896TVAO
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Osc., Automotive, Low Power, -40-105C, 50ppm, 2.5x2.0mm, 1k reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

VLGA-4 11.2896 MHz 50 PPM 10 pF 1.71 V 3.63 V 3 mA - 40 C + 105 C
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 11.2896MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

11.2896 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 11.2896MHz 3.3V 25ppm -40C +85C Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

2.5 mm x 2 mm 11.2896 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 11.2896MHz 1.8V 25ppm -40C +85C Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

2.5 mm x 2 mm 11.2896 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS Oscillators 11.2896MHz 2.5V 25ppm -40C +85C Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

2.5 mm x 2 mm 11.2896 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B