Laird Technologies Induktivitäten, Drosseln & Spulen

Ergebnisse: 960
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Induktivität Abweichungstoleranz Maximaler Gleichstrom (DC) Montage Maximale Betriebstemperatur Qualifikation
Laird Technologies IWC0603CR12R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 120nH 2% 300mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

120 nH 2 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603D82NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 82nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

82 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603DR10R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 100nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

100 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603F27NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 27nH 2% 600mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

27 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603F33NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 33nH 2% 600mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

33 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603F47NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 47nH 2% 600mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

47 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603F68NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 68nH 2% 600mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

68 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0603G22NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0603 22nH 2% 700mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 20 000
: 4 000

22 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805D82NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 82nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

82 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805DR12R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 120nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

120 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805DR15R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 150nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

150 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805DR18R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 180nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

180 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E22NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 22nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

22 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E27NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 27nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

27 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E33NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 33nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

33 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E39NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 39nH 2% 500mA Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

39 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E47NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 47nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

47 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC0805E68NR-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 0805 68nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

68 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008C1R0R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 1000nH 2% 370mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

1 uH 2 % 370 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008DR33R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 330nH 2% 450mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

330 nH 2 % 450 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008DR39R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 390nH 2% 470mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

390 nH 2 % 470 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008DR47R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 470nH 2% 470mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

470 nH 2 % 470 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008DR68R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 680nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

680 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008DR82R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 820nH 2% 400mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

820 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
Laird Technologies IWC1008ER22R-3G
Laird Technologies HF-Induktivitäten – SMD 1008 220nH 2% 500mA Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
: 2 000

220 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C