8056 Induktivitäten, Drosseln & Spulen

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ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 62nH 0.5A 360m? Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

62 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 62nH 0.5A 360m? Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

62 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 6.2nH 0.6A 110m? Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

6.2 nH 10 % 600 mA SMD/SMT + 125 C
Delevan Leistungsinduktivitäten – bedrahtet 560 uH Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
560 uH 10 % 1.6 A Radial + 125 C
Delevan Leistungsinduktivitäten – bedrahtet 5.6 uH Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
5.6 uH 15 % 11.4 A Radial + 125 C
Delevan HF-Induktivitäten – SMD .0056uH 5% .05ohm Unshielded SMT RF Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Nein
5.6 nH 5 % 1.56 A SMD/SMT
Delevan Leistungsinduktivitäten – bedrahtet 56 uH Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
56 uH 10 % 5.5 A Radial + 125 C
Delevan HF-Induktivitäten – SMD .0056uH 20% .05ohm Unshielded SMT RF Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Nein
5.6 nH 20 % 1.56 A SMD/SMT
Delevan HF-Induktivitäten – SMD .0056uH 10% .05ohm Unshielded SMT RF Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Nein
5.6 nH 10 % 1.56 A SMD/SMT
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound -High Q Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.2 nH 2 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.8 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound -High Q Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.2 nH 10 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 26 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.8 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 2 000
: 2 000

68 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-Low Profile Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 16 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound -High Q Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.2 nH 5 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 2 000
: 2 000

68 nH 2 % 500 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 2 000
: 2 000

68 nH 10 % 500 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.8 nH 2 % 600 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.8 uH 5 % 470 mA SMD/SMT + 105 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-Low Profile Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 14 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Wire Wound-Low DCR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 16 000
Mult.: 2 000
: 2 000

6.8 uH 20 % 290 mA SMD/SMT + 105 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-Low Profile Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 14 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-Low Profile Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 14 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SMD/SMT
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-Low DCR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 16 000
Mult.: 2 000
: 2 000

68 uH 10 % 95 mA SMD/SMT + 105 C