1070 Induktivitäten, Drosseln & Spulen

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen

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Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 28 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4.1 nH 0.1 nH SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

13 nH 2 % 870 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

18 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

22 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

23 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

26 nH 2 % 700 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

27 nH 5 % 450 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

2.4 nH 0.2 nH 2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
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2.4 nH 5 % 2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

2.7 nH 0.2 nH 1.5 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
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36 nH 3 % 480 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
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39 nH 3 % 450 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4.3 nH 5 % 1.6 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4.7 nH 3 % 1.5 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

7.5 nH 5 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

8.7 nH 3 % 1.5 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 20 000
Mult.: 4 000
: 4 000

9.5 nH 3 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
: 4 000

11 nH 3 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
: 4 000

11 nH 5 % 1.4 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
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12 nH 2 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
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12 nH 3 % 1.2 A SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
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13 nH 2 % 870 mA SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 4 000
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13 nH 5 % 870 mA SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
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15 nH 3 % 1.1 A SMD/SMT + 125 C