EliteSiC Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Datenblatt
72Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 36
Mult.: 36

IGBT Modules Si
onsemi NXH600A100H4F5SNG
onsemi IGBT-Module F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
Datenblatt
96Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si

onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
onsemi SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

onsemi MOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Datenblatt

MOSFET Modules SiC Press Fit
onsemi NXH200T120H3Q2F2STNG
onsemi IGBT-Module 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE WITH TIM(NI-PLATED)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si
onsemi NXH200T120H3Q2F2STG
onsemi IGBT-Module 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (PCM)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12
IGBT Modules Si
onsemi NXH200T120H3Q2F2SG
onsemi IGBT-Module 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 36
Mult.: 36
IGBT Modules Si
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si