PJA3461S-AU_R1_007A1

Panjit
241-PJA34SAUR1007A1
PJA3461S-AU_R1_007A1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Neues Produkt:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 0,447 € 0,45
€ 0,273 € 2,73
€ 0,174 € 17,40
€ 0,131 € 65,50
€ 0,117 € 117,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,098 € 294,00
€ 0,089 € 534,00
€ 0,078 € 702,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Panjit
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
60 V
1.9 A
200 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
9 nC
- 55 C
+ 175 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Panjit
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 8 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2.9 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3.6 ns
Gewicht pro Stück: 8,400 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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