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TLV3501AQDBVRQ1G4

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LV3501AQDBVRQ1G4

Herst.- Nr.:

TLV3501AQDBVRQ1G4

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Analog Comparators Automotive-grade hi gh-speed single rai

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TLV3501AQDBVRQ1G4 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Analoge Komparatoren
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-6
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Art der Ausgabe:	Push-Pull
Komparatortyp:	Window
Versorgungsspannung - Min.:	2.2 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Betriebsversorgungsstrom:	3.2 mA
Vos - Eingangs-Offset-Spannung:	1 mV
Ib - Eingangsruhestrom:	2 pA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	TLV3501AQDBVRQ1G4
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Texas Instruments
CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis :	70 dB
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Eingangsart:	Rail-to-Rail
Ios - Eingangs-Offset-Strom:	2 pA
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Analog Comparators
Verzögerungszeit Übertragungs:	4.5 ns
Abschaltung:	Shutdown
Anstiegsrate (SR):	6 V/us
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Amplifier ICs

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Datenblatt

TLV3501AQDBVRQ1G4 Datenblatt

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ECCN:: EAR99

TLV3501A-Q1 Schiene-zu-Schiene-Hochgeschwindigkeitskomparator

Der TLV3501A-Q1 Rail-to-Rail Hochgeschwindigkeits-Komparator von Texas Instruments bietet eine schnelle 4,5 ns Ausbreitungsverzögerung und einen Betrieb von 2,7 V bis 5,5 V. Die Eingangsspannung unterstützt einen Gleichtaktbereich jenseits der Schienen, was das Gerät zu einer idealen Wahl für Niederspannungsanwendungen macht. Der Rail-to-Rail-Ausgang treibt entweder CMOS- oder TTL-Logik direkt an. Die schnelle Verzögerung und der weite Gleichtaktbereich machen das TLV3501A-Q1 Bauteil auch ideal für die EMI-Reduzierung durch Frequenzdithering, indem die EMI-Spitzen gesenkt werden. Dank dieser Parameter eignet sich das Bauteil ideal für DC-DC-Wandler- und Wechselrichteranwendungen in HEV/EV und im Antriebsstrang.