QPD1009 GaN FETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Qorvo GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Datenblatt
244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FETs DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W