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QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 1808.94 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1025L

Herst.- Nr.:

QPD1025L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

Datenblatt:

QPD1025L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	NI-1230-4
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	758 W
Marke:	Qorvo
Konfiguration:	Dual Gate Dual Drain
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Entwicklungs-Kit:	QPD1025LEVB1
Verstärkung:	22.9 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	225 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	1.5 kW
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1025L
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Transistorart:	HEMT
Gewicht pro Stück:	39,665 g

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TARIC:: 8517620000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren

Qorvo QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs (High Electron Mobility Transistors), die über einen Betriebsfrequenzbereich von 1,0 GHz bis 1,1 GHz verfügen. Diese Transistoren bieten eine lineare Verstärkung von 22,9 dB, eine Ausgangsleistung von 1.800 W, eine Betriebsspannung von 65 V und unterstützen einen Impuls- sowie CW-Betrieb. Die QPD1025L Transistoren sind in branchenüblichen Luftraum-Gehäusen erhältlich und eignen sich hervorragend für IFF-Transponder, Avionik, Test- und Messgeräte.