297 IGBT-Module

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 100 A booster IGBT module
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray