Navitas Semiconductor MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Datenblatt
91Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Datenblatt
94Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Datenblatt
66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Datenblatt
94Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Datenblatt
96Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Datenblatt
96Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray