Interface IC's MOSFET-Module

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Serie Verpackung
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray