IXFN20N120 Serie MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200V 0.6 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, + 30 V 6.5 V - 55 C + 150 C 595 W IXFN20N120 Tube
IXYS MOSFET-Module 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 750 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W IXFN20N120 Tube