POWER MOS 7 MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 1 kV 65 A 130 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 1.25 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 1 kV 215 A 45 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 5 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 372 A 4 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 1.25 kW Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 13
Mult.: 1

Si Screw Mount SP-32 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 140 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 208 W Tube