Polar MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Verpackung
IXYS MOSFET-Module IXTY02N120P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1.2 kV 200 mA 75 Ohms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 33 W Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET-Module IXTY08N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 800 mA 20 Ohms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 42 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY1N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 1 A 15 Ohms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 50 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY1N80P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 800 V 1 A 14 Ohms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 42 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY2N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 2 A 7.5 Ohms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 86 W Reel