STMicroelectronics MDmesh M9 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 35 mOhms 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Datenblatt
995Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 50 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
522Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
580Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
344Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 95 A - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
1 195Auf Lager
1 200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
770Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
101Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
Datenblatt
395Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Datenblatt
600erwartet ab 27.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 46 mOhms 30 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
Datenblatt
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

Si SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics STO60N030M9
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package
Datenblatt
1 800Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

Reel, Cut Tape