POWER MOS 8 IGBTs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
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Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube