IXYS MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
IXYS MOSFET-Module Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN80N60 Tube
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, + 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.2 kW X-Class Tube
IXYS MOSFET-Module MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel 500 V 68 A 55 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 780 W Tube
IXYS MOSFET-Module TrenchP Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 P-Channel 1 Channel 200 V 106 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C 830 W IXTN120P20 Tube
IXYS MOSFET-Module 17 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 900 mOhms - 30 V, + 30 V 6 V - 55 C + 150 C 540 W IXTN17N120 Tube
IXYS MOSFET-Module 100V 200A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 A 5.5 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 175 C 550 W IXTN200N10T- Gen1 Tube
IXYS MOSFET-Module 2500V 5A HV Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 2.5 kV 5 A 8.8 Ohms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 700 W IXTN5N250 Tube
IXYS MOSFET-Module TO220 250V 76A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 250 V 76 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 460 W Tube
IXYS MOSFET-Module IXTT140N10P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 600 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTT40N50L2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 540 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTT6N120 TRL
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTT96N20P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 600 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY02N120P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1.2 kV 200 mA 75 Ohms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 33 W Reel, Cut Tape
IXYS MOSFET-Module IXTY08N100D2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms - 20 V, + 20 V - 4 V - 55 C + 150 C 60 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY08N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 800 mA 20 Ohms - 20 V, + 20 V 2 V - 55 C + 150 C 42 W Reel
IXYS MOSFET-Module DISCRETE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY1N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 1 A 15 Ohms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 50 W Reel
IXYS MOSFET-Module Disc Mosfet N-CH Std-Polar TO-252D
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel - 55 C + 150 C Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY1N80P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 800 V 1 A 14 Ohms - 30 V, + 30 V 2 V - 55 C + 150 C 42 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY1R6N100D2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si Through Hole TO-252-3 N-Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms - 20 V, + 20 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 100 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY26P10T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY2N100P TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 kV 2 A 7.5 Ohms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 86 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY32P05T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 43 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY44N10T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 100 V 44 A 30 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 130 W Reel
IXYS MOSFET-Module IXTY48P05T TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 43 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel