STMicroelectronics MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs P-channel -100 V, 0.136 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 pac
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT TO-223-4 P-Channel 1 Channel 100 V 3 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh M5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel 1000V Zener SuperMESH
Datenblatt
Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 128 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 56.5 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in an IPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube