STMicroelectronics MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung
STMicroelectronics STL19N60M6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics STL9P4LF6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive P-channel enhancement mode Power MOSFET STripFET F6 -40 V, -8 A in a Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STO25N019M9
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 250 V, 16 mOhm typ., 63 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Reel
STMicroelectronics STO60N038M9
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 33 mOhm typ., 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Reel
STMicroelectronics STO60N045M9
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

Reel
STMicroelectronics STP10N80K5
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si MDmesh Tube
STMicroelectronics STP22N60DM6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3.25 V 20.6 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STP26N60M2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STP26N65DM2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35.5 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STW26N65DM2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si MDmesh Tube
STMicroelectronics STW52N60DM6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 64 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Tube
STMicroelectronics STW70N65M2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 46 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STW72N60DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics STW75NF30AG
STMicroelectronics MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics STWA32N65DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics STWA38N65DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 68 mOhm typ., 42 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics STWA46N65DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 55 mOhm typ., 50 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics STWA67N60DM6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si MDmesh Tube
STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si MDmesh Tube
STMicroelectronics STWA68N65DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics STWA72N60DM2AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics STWA72N60DM6AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive N-channel 600 V 37 mOhm typ. 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics STD70R1K3S
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 700 V, 1.3 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in a DPAK package Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 2 500
: 2 500

Si Reel
STMicroelectronics STK184N4F7AG
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET i Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics STL15N60DM6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 295 mOhm typ 8.5 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si MDmesh Reel