STMicroelectronics MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
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627Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
Datenblatt
913Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
2 836Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 53 nC - 55 C + 175 C 176.5 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Datenblatt
149Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
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209Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
Datenblatt
491Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 188 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
486Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
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394Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Datenblatt
492Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
484Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 150 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Datenblatt
930Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
805Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.1 A 6.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
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344Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
Datenblatt
545Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 108 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
467Auf Lager
1 962Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 117 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 41.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
Datenblatt
78Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 29.3 nC - 50 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
Datenblatt
90Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
Datenblatt
648Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
690Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
Datenblatt
1 164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Datenblatt
10Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs PowerMESH MOSFET
Datenblatt
456Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
Datenblatt
715Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 11 nC 20 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Datenblatt
898Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube