STMicroelectronics MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
Datenblatt
2 608Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Datenblatt
1 602Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A
Datenblatt
1 809Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.85 A 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Datenblatt
648Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
Datenblatt
4 429Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 65 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
Datenblatt
453Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
545Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A
Datenblatt
294Auf Lager
600erwartet ab 04.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9.2 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
334Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 47 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
147Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 66 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 76 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
379Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
446Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 18 A 275 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50.7 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
Datenblatt
633Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
242Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
Datenblatt
485Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
Datenblatt
806Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
Datenblatt
343Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
264Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
Datenblatt
393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 163 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Datenblatt
57Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 37 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
32Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Datenblatt
600Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
222Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
Datenblatt
98Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube