STMicroelectronics MOSFETs

Ergebnisse: 1 319
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 2 Channel 60 V 10 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 57.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.5 A 1.06 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics STF26N65DM2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 55 Volt 120 Amp
Datenblatt
990Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel
STMicroelectronics MOSFETs 75V 3.5mOhm N-Channel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 30 Volt 90 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V - 65 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 30 Volt 8 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 20 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 20.6 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 128 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si Through Hole D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56.3 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 83 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
Datenblatt
Vorlaufzeit 15 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 520 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 395 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel