4937 MOSFETs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Handelsname Verpackung

Vishay / Siliconix MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified 8 302Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 5 A 56 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V 7 618Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 5 A 56 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30-V 175C MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 131Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER 3 064Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape