8006 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 800V 6A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 402Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 800V 6A N-CH MOSFET
Datenblatt
380Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 43 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube