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PXN011-60QLAJ

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PXN011-60QLAJ

Herst.- Nr.:

PXN011-60QLAJ

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 60 V, 11 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

PXN011-60QLAJ Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLPAK33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	46 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	7.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	47 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.8 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.2 ns
Artikel # Aliases:	934668047118 934670000000

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Datenblatt

PXN011-60QLAJ Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs sind für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Diese Nexperia MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand [R_DS(on)] aus, der von 2,8 mΩ bis 14 mΩ reicht, und unterstützen 60 V und 100 V Drain-Source-Spannungen (V_DS). Diese MOSFETs sind für die Kompatibilität mit Logikpegeln optimiert und eignen sich für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung, Gleichstromwandler, Motorantriebe, Lastschaltungen und LED-Beleuchtungen. Diese MOSFETs sind in thermisch effizienten MLPAK33- und MLPAK56-Gehäusen untergebracht, die kompakte Grundfläche und verbesserten thermischen Wirkungsgrad bieten. Mit Eigenschaften wie niedriger Gatterladung (Qg) und hoher Robustheit gegen Lawinendurchbrüche gewährleistet die Baureihe PXNx zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.