IXTP36N30 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
Datenblatt
4 629Auf Lager
2 050Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 36 Amps 300V 110 Rds Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms Tube