Linear L2 MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Datenblatt
510Auf Lager
740Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Datenblatt
282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Datenblatt
378Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO247 N-CH 75V 140A
Datenblatt
26Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
Datenblatt
3 780Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 60 Amps 500V
Datenblatt
685Auf Lager
1 098Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
Datenblatt
1 100Auf Lager
2 880Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Datenblatt
378Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
Datenblatt
266Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Datenblatt
224Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
Datenblatt
123Auf Lager
1 525Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
Datenblatt
641Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 90 Amps 250V
Datenblatt
248Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR
Datenblatt
119Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
Datenblatt
22Auf Lager
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 90 Amps 250V
Datenblatt
49Auf Lager
393Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO220 N-CH 75V 80A
Datenblatt
174Auf Lager
100Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Datenblatt
1 175Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO263 250V 30A N-CH LINEAR
Datenblatt
50Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 30 Amps 600V
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 60 Amps 500V
Datenblatt
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs IXTA15N50L2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA64N10L2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS MOSFETs IXTA80N075L2 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel