STMicroelectronics SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
Rolle: 1 800

STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 448
Mult.: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
Rolle: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

AEC-Q100
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

AEC-Q100