SemiQ SiC-MOSFETs

Ergebnisse: 12
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
SemiQ SiC-MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datenblatt
113Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datenblatt
144Auf Lager
30Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datenblatt
134Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
Datenblatt
150Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs
Datenblatt
99Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 58 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 83 A 36 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 233 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement