MXPQ120A045SE-1GE3

Name: Vishay MXPQ120A045SE-1GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-MXPQ120A045S-1GE3
Price: 10.21 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-MXPQ120A045S-1GE3

Herst.- Nr.:

MXPQ120A045SE-1GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

MXPQ120A045SE-1GE3 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-263-7
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV
Id - Continuous Drain Current:	52 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	56 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 10 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.8 V
Qg - Gate Charge:	82 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Pd - Power Dissipation:	268 W
Channel Mode:	Enhancement
Brand:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Country of Assembly:	Not Available
Country of Diffusion:	Not Available
Country of Origin:	CN
Fall Time:	10 ns
Product:	SiC MOSFET
Product Type:	SiC MOSFETS
Rise Time:	12 ns
Verpackung ab Werk:	800
Subcategory:	Transistors
Technology:	SiC
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	23 ns

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MXPQ120A045SE-1GE3 Datenblatt (PDF)

MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs

MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 1.200 V, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeitszeit von 3 μs aus. Diese MOSFETs bieten außerdem einen maximalen Leistungsverlust von 56 W bis 268 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 10,5 A bis 52 A (T_c = 25 °C). Die MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETs sind halogenfrei und in den Gehäusen TO-247 3 L, TO-247 4 L und TO-263 7 L erhältlich. Diese MOSFETs werden in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern eingesetzt.