CoolMOS SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 315Auf Lager
750Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 288 A 7 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 370 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC-MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
3 241Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 142 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC-MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
693Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 135 A 16 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 171 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS
Infineon Technologies SiC-MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 65 A 37 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 79 nC - 55 C + 150 C 338 W Enhancement CoolMOS