ISSI DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz
Datenblatt
Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Reel
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R83200F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel