ISSI DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS43TR16128C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS46TR16128CL Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS46TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS46TR16128CL Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS46TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3 BGA-78 IS43TR82560C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1333MT/s @ 9-9-9, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L BGA-78 IS43TR82560CL Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

HyperRAM FBGA-24 IS66WVH8M8ALL Reel
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

HyperRAM FBGA-24 IS66WVH8M8BLL Reel
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 1
SDRAM - DDR3 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16K01S2L
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16K01S2L Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray