ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 70 ns 2.2 V 1.65 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 55 ns 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 312
Mult.: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

1 Mbit 55 ns 2.2 V 1.7 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 55 ns 2.2 V 1.7 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns Async SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 48 Ball mBGA I (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 Mbit 12 ns 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

70 ns SMD/SMT BGA-54 Reel