IXYS
Die IXYS Corporation ist ein globaler Anbieter von Leistungsmanagement-Halbleitern mit einer umfassenden Auswahl von Leistungs-MOSFET-, IGBT- bipolaren und Mischsignal-IC-Lösungen, die einen verbesserten Wirkungsgrad und reduzierte Energiekosten in einer großen Auswahl von Stromversorgungssystem-Applikationen bieten.
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IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-TreiberBietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.30.06.2025 -
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für AutomobilapplikationenVerfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.14.04.2025 -
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-DiodenBietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.03.04.2025 -
IXYS IXD0579M Gate-TreiberHigh-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.03.04.2025 -
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-DiodenmodulDas 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.25.03.2025 -
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.17.03.2025 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.27.02.2025 -
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.27.02.2025 -
IXYS IXD2012N Gate-TreiberDer High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber schaltet bis zu 200 V im Bootstrap-Betrieb.18.02.2025 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETsBieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.28.11.2024 -
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle FreilaufdiodenZwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.22.11.2024 -
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.25.07.2024 -
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-BrückengleichrichterDieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.22.07.2024 -
IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A FreilaufdiodeEine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).08.07.2024 -
IXYS IX4341 / IX4342 MOSFET-Gate-TreiberMit zwei unabhängigen Treibern, ideal für SMPS, Motorsteuerungen und Wechselrichter.31.05.2024 -
IXYS IX4352NE 9 A Low-Side-SiC-MOSFET und IGBT-TreiberFür den Antrieb von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs ausgelegt und verfügen über separate 9 A Quellen- und Senken-Ausgänge.21.03.2024 -
IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCREin 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.19.02.2024 -
IXYS MPA 95-06DA FRED-ModuleVerfügen über planar passivierte chips und geringe Schaltverluste für Hochfrequenz-Schaltbauteile.18.01.2024 -
IXYS MCMA140P1600TA-NI ThyristormoduleVerfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.18.01.2024 -
IXYS DMA80I1600HA Einzeldioden-GleichrichterVerfügen über Planar-Passivierungs-Chips, einen niedrigen Ableitstrom und einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall.11.08.2022 -
IXYS STP802U2SRP Empfindliche 1,5-A-Doppel-SCRsHohes statisches dv/dt mit geringer Abschaltzeit (tq) und 1,5 ARMS Einschaltstrom.10.08.2022