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Nexperia BASxxGW Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden

Die Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden BASxxGW von Nexperia sind nach AEC-Q101 qualifiziert und in einem kleinen SOD123- und SOT123-SMD-Kunststoffgehäuse eingekapselt. Die BASxxGW Dioden bestehen aus den Varianten BAS16GWJ, BAS16GWX, BAS21GWJ und BAS21GWX. Diese BASxxGW Dioden verfügen über eine Sperrverzögerungszeit von trr ≤ 4 ns/50 ns Schaltgeschwindigkeit und eine Sperrspannung von VR ≤ 100 V/200 V. Typische Applikationen sind Hochgeschwindigkeits-Schaltung bei Hochspannung und Universal-Schaltung.

Merkmale

  • BAS16GW Dioden:
    • Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
    • Sperrspannung: VR ≤ 100 V
    • Geringe Kapazität: Cd ≤ 1,5 pF
    • Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns
    • Niedriger Leckstrom
    • Nach AEC-Q101 qualifiziert
  • BAS21GW Dioden:
    • Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
    • Hohe Sperrspannung: VR ≤ 200 V
    • Geringe Kapazität: Cd ≤ 2 pF
    • Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 50 ns
    • Niedriger Leckstrom: IR ≤ 100 nA
    • Nach AEC-Q101 qualifiziert

Applikationen

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung bei Hochspannung
  • Universalschaltung

Datenblätter

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung If - Durchlassstrom Max. Spitzenstrom Vf - Durchlassspannung Ir - Sperrstrom Rückstellungszeit
BAS16GWJ BAS16GWJ Datenblatt Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 100V 150MA SOD-123-2 150 mA 4 A 1.25 V 500 nA 4 ns
BAS16GWX BAS16GWX Datenblatt Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 100V 150MA SOD-123-2 215 mA 4 A 1.25 V 500 nA 4 ns
BAS21GWJ BAS21GWJ Datenblatt Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 250V 200MA SOD-123-2 200 mA 9 A 1.25 V 50 ns
BAS21GWX BAS21GWX Datenblatt Kleinsignal-Schaltdioden DIODE-SS 250V 200MAA 200 mA 9 A 1.25 V 100 nA 50 ns
Veröffentlichungsdatum: 2017-09-18 | Aktualisiert: 2022-03-11