Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs
Nexperia DFN0606 Trench-MOSFETs sind zur Verwendung mit der Trench-MOSFET-Technologie ausgelegt, um eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr schnelle Schaltung zu bieten. Diese MOSFETs von Nexperia verfügen über einen Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) und sind in einem unbedrahteten, extrem kleinen DFN0606-3-Kunststoffgehäuse (SOT8001) zur Oberflächenmontage (SMD) verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Mobiltelefone, Wearables und tragbare Geräte, Zubehör für Mobiltelefone, Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte.
Merkmale
- Niedrige Schwellenspannung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Trench-MOSFET-Technologie
- 2N7002 Funktionsumfang in einem DFN0606-Gehäuse
- Platzeinsparung von 36 % im Vergleich zu DFN1006
- ESD-Schutz von bis zu 2 kV
- Footprint von 0,6 mm x 0,6 mm, Höhe von 0,37 mm
Technische Daten
- Extrem niedriger RDS(on) bis hinunter zu 170 mΩ
- Niederspannungsantrieb (VGS(th)= 0,7 V, typisch)
- Spannungsbereich von 20 V bis 60 V
Applikationen
- Handys
- Wearables und tragbare Geräte
- Zubehör für Handys
- Kopfhörer, Ohrhörer und Hörgeräte
Videos
Applikationshinweis
Weitere Ressourcen
Applikations-Schaltung – Diagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2020-05-21
| Aktualisiert: 2024-05-03