Qorvo QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren
Qorvo QPD1028 und QPD1028L 750 W-GaN-auf-SiC-Transistoren sind diskrete -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-HEMT (High-Electron-Mobility Transistoren), die von 1,2 GHz bis 1,4 GHz betrieben werden. Diese Bauteile bieten eine gesättigte Ausgangsleistung von 59 dBm mit einer großen Signalverstärkung von 18 dB und einem Drain-Wirkungsgrad von 70 %. Die QPD1028 und QPD1028L Transistoren sind intern für eine optimale Leistung vorabgestimmt und können sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe unterstützen.
Die QPD1028 und QPD1028L GaN-auf-SiC-Transistoren von Qorvo sind in einem NI-780-Lufthohlraum-Industriestandard-Gehäuse untergebracht und eignen sich hervorragend für Radarapplikationen. Das QPD1028L-Gehäuse enthält einen Ohrenflansch für die Bolzenmontage.
Merkmale
- 1,2 GHz bis 1,4 GHz Frequenzbereich
- Gesättigte Ausgangsleistung (PSAT): 59 dBm
- 70 % Drain-Wirkungsgrad bei PSAT
- 18 dB Großsignalverstärkung bei PSAT
- Vorspannung: VDS= + 65V, IDQ= 750 mA
- -40 °C +85 °C Betriebstemperaturbereich
- NI-780-Gehäuse von 20,57 mm x 9,78 mm x 3,63 mm
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- L-Band-Radar
- ISM
Datenblätter
Development Tools
Qorvo QPD1028 und QPD1028L Evaluierungsboards
Demonstrations- und Entwicklungsplattformen für die QPD1028 und QPD1028L 750-W-GaN-auf-SiC-Transistoren.
Blockdiagramm
QPD1028 Gehäuseabmessungen
QPD1028L – Gehäuse-Umriss
Veröffentlichungsdatum: 2021-12-09
| Aktualisiert: 2022-03-15